Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate

Endruschat A (2021)

Publication Language: German

Publication Type: Thesis

Publication year: 2021

URI: https://open.fau.de/handle/openfau/17033

Authors with CRIS profile

Achim Endruschat Lehrstuhl für Leistungselektronik (LEE)

How to cite

APA:

Endruschat, A. (2021). Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate (Dissertation).

MLA:

Endruschat, Achim. Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate. Dissertation, 2021.

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